近紅外半導體檢查SWIR冷卻相機
近紅外半導體檢查SWIR冷卻相機
穿透硅材料,適用于半導體檢測,具有高分辨率成像(可達1280×1024),能夠識別材料化學成分差異,以及對溫度變化不敏感等優勢。這些特性使得SWIR相機在半導體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像,定位內部缺陷(分辨率達10μm)
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穿透硅材料,適用于半導體檢測,具有高分辨率成像(可達1280×1024),能夠識別材料化學成分差異,以及對溫度變化不敏感等優勢。這些特性使得SWIR相機在半導體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像,定位內部缺陷(分辨率達10μm)
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穿透硅材料,適用于半導體檢測,具有高分辨率成像(可達1280×1024),能夠識別材料化學成分差異,以及對溫度變化不敏感等優勢。這些特性使得SWIR相機在半導體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像,定位內部缺陷(分辨率達10μm)
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